‘차세대 메모리 원천기술` 최초 개발
등록일 : 2005.12.08
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차세대 메모리 소자의 핵심 원천기술이 국내 연구팀에 의해 세계 최초로 개발됐습니다.
산업자원부는 광주 과학기술원 황현상 교수팀이 플래시메모리의 단점을 극복할 수 있는 저항변화 메모리 소자의 핵심 원천기술을 개발했다고 밝혔습니다.
황현상 교수팀이 개발한 기술은 데이터의 저장상태가 10년 이상 유지되고 천만 번 이상 정보를 쓰고 지우는 것을 가능케 하는 것으로 실용화 가능성이 높은 것으로 평가받고 있습니다.
황 교수팀의 연구 성과는 현지시간으로 7일 미국 워싱턴에서 열린 세계 최고 권위의 반도체 소자분야 학술회의인 국제전자소자회의에서 발표됐습니다.
산업자원부는 광주 과학기술원 황현상 교수팀이 플래시메모리의 단점을 극복할 수 있는 저항변화 메모리 소자의 핵심 원천기술을 개발했다고 밝혔습니다.
황현상 교수팀이 개발한 기술은 데이터의 저장상태가 10년 이상 유지되고 천만 번 이상 정보를 쓰고 지우는 것을 가능케 하는 것으로 실용화 가능성이 높은 것으로 평가받고 있습니다.
황 교수팀의 연구 성과는 현지시간으로 7일 미국 워싱턴에서 열린 세계 최고 권위의 반도체 소자분야 학술회의인 국제전자소자회의에서 발표됐습니다.